次世代半導体の「万能下地」。どの材料が伸びても使える多能性中間膜

情報元による記事紹介

SiCやGaNなどの次世代半導体材料は、シリコン基板の上に重ねて使われることも多い。課題は、異なる結晶同士のずれだ。東京大学発のGaianixxは、その間に入ってひずみを吸収する「多能性中間膜」を開発。材料を選ばず、高品質な単結晶薄膜を形成できる技術と、幅広い市場への展開を狙う。

AIによる記事の要点

情報元の記事をもとに自動生成しています。誤りや省略が含まれる場合があります。詳細は元記事で確認してください。

この記事の要約はまだ用意されていません。元記事で内容をご確認ください。